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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON5802ALS

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON5802ALS
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON5802ALS
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON5802ALS
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (108 reviews)

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON5802ALS

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON5802ALS

descrição

Número da peça:	AON5802ALS	Fabricante:	& alfa; Ômega Semicondutor Inc.
Descrição:	MOSFET N-CH DFN DUPLO	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições	Série:	*

Especificações de AON5802ALS

Estado da parte	Compra da última vez
Tipo do FET	-
Característica do FET	-
Drene à tensão da fonte (Vdss)	-
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	-
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	-
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	-
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	-
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	-
Poder - máximo	-
Temperatura de funcionamento	-
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	6-WDFN expôs a almofada
Pacote do dispositivo do fornecedor	6-DFN (2x5)
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de AON5802ALS

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON5802ALS 0

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Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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