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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo NDS9945

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
NDS9945
Fabricante:
Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Introdução

Especificações NDS9945

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 3.5A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 100 mOhm @ 3.5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 345pF @ 25V
Poder - máximo 900mW
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-SO
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento NDS9945

Detecção

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