Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo NDS9945
Especificações
Número da peça:
NDS9945
Fabricante:
Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Introdução
Especificações NDS9945
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo do FET | N-canal 2 (duplo) |
Característica do FET | Porta do nível da lógica |
Drene à tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 3.5A |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 100 mOhm @ 3.5A, 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 345pF @ 25V |
Poder - máximo | 900mW |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote/caso | 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm) |
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-SO |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento NDS9945
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable