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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK7K17-60EX

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
BUK7K17-60EX
Fabricante:
Nexperia EUA Inc.
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 30A 56LFPAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Introdução

Especificações de BUK7K17-60EX

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) 60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 30A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 14 mOhm @ 10A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 23.6nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1578pF @ 25V
Poder - máximo 53W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso SOT-1205, 8-LFPAK56
Pacote do dispositivo do fornecedor LFPAK56D
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de BUK7K17-60EX

Detecção

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