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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD5110NT1G

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD5110NT1G
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD5110NT1G
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD5110NT1G
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (174 reviews)

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD5110NT1G

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD5110NT1G

descrição

Número da peça:	NTZD5110NT1G	Fabricante:	No semicondutor
Descrição:	MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de NTZD5110NT1G

Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal 2 (duplo)
Característica do FET	Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)	60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	294mA
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	1,6 ohms @ 500mA, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	2.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	24.5pF @ 20V
Poder - máximo	250mW
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	SOT-563, SOT-666
Pacote do dispositivo do fornecedor	SOT-563
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de NTZD5110NT1G

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD5110NT1G 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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