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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3190LDW-7

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3190LDW-7

descrição
Número da peça: DMN3190LDW-7 Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações DMN3190LDW-7

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 1A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2.8V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 2nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 87pF @ 20V
Poder - máximo 320mW
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote do dispositivo do fornecedor SOT-363
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento DMN3190LDW-7

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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