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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AO6602L

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AO6602L

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AO6602L
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Imagem Grande :  Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AO6602L

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AO6602L

descrição
Número da peça: AO6602L Fabricante: & alfa; Ômega Semicondutor Inc.
Descrição: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de AO6602L

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N e P-canal
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C -
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 75 mOhm @ 3.1A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 8.5nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 240pF @ 15V
Poder - máximo 1.15W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso SC-74, SOT-457
Pacote do dispositivo do fornecedor 6-TSOP
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de AO6602L

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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