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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMA2002NZ

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMA2002NZ

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMA2002NZ
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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMA2002NZ

descrição
Número da peça: FDMA2002NZ Fabricante: Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições Série: PowerTrench®

Especificações de FDMA2002NZ

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 2.9A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 220pF @ 15V
Poder - máximo 650mW
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 6-WDFN expôs a almofada
Pacote do dispositivo do fornecedor 6-MicroFET (2x2)
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de FDMA2002NZ

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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