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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMHC3A01N8TC

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMHC3A01N8TC
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMHC3A01N8TC
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMHC3A01N8TC
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (164 reviews)

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMHC3A01N8TC

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMHC3A01N8TC

descrição

Número da peça:	ZXMHC3A01N8TC	Fabricante:	Diodos incorporados
Descrição:	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de ZXMHC3A01N8TC

Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	P-canal 2 N e 2 (H-ponte)
Característica do FET	Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)	30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	2.17A, 1.64A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	125 mOhm @ 2.5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	3.9nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	190pF @ 25V
Poder - máximo	870mW
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor	8-SOP
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de ZXMHC3A01N8TC

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMHC3A01N8TC 0

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Telefone: +8615017926135

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