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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor de TPS1120DR Field Effect Transistor

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor de TPS1120DR Field Effect Transistor

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Imagem Grande :  Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor de TPS1120DR Field Effect Transistor

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor de TPS1120DR Field Effect Transistor

descrição
Número da peça: TPS1120DR Fabricante: Texas Instruments
Descrição: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

TPS1120DR Specifications

Estado da parte Ativo
Tipo do FET P-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 15V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 1.17A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 5.45nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo 840mW
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-SOIC
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

TPS1120DR Packaging

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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