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Transistor IGBTs do módulo de poder de HGT1S3N60A4DS9A IGBT único

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Transistor IGBTs do módulo de poder de HGT1S3N60A4DS9A IGBT único

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Transistor IGBTs do módulo de poder de HGT1S3N60A4DS9A IGBT único

descrição
Número da peça: HGT1S3N60A4DS9A Fabricante: Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição: IGBT 600V 17A 70W D2PAK Categoria: Transistor - IGBTs - únicos
Família: Transistor - IGBTs - únicos

Especificações de HGT1S3N60A4DS9A

Estado da parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 17A
Atual - coletor pulsado (Icm) 40A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.7V @ 15V, 3A
Poder - máximo 70W
Energia de comutação 37µJ (sobre), 25µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 21nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 6ns/73ns
Condição de teste 390V, 3A, 50 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 29ns
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-263AB
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de HGT1S3N60A4DS9A

Detecção

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Contacto
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Telefone: +8615017926135

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