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Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW35NB60S IGBT único

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Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW35NB60S IGBT único

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Imagem Grande :  Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW35NB60S IGBT único

Detalhes do produto:
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Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW35NB60S IGBT único

descrição
Número da peça: STGW35NB60S Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: IGBT 600V 70A 200W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - únicos
Família: Transistor - IGBTs - únicos Série: PowerMESH™

Especificações de STGW35NB60S

Estado da parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 70A
Atual - coletor pulsado (Icm) 250A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 1.7V @ 15V, 20A
Poder - máximo 200W
Energia de comutação 840µJ (sobre), 7.4mJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 83nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 92ns/1.1µs
Condição de teste 480V, 20A, 100 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-247-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STGW35NB60S

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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