Transistor IGBTs do módulo de poder de IXST15N120BD1 IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
IGBT 1200V 30A 150W TO268
Número da peça:
IXST15N120BD1
Fabricante:
IXYS
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações IXST15N120BD1
| Estado da parte | Obsoleto |
|---|---|
| Tipo de IGBT | Pinta |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 1200V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 30A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 60A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 3.4V @ 15V, 15A |
| Poder - máximo | 150W |
| Energia de comutação | 1.5mJ (fora) |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 57nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 30ns/148ns |
| Condição de teste | 960V, 15A, 10 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 30ns |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | TO-268-3, ³ Pak de D (2 ligações + abas), TO-268AA |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-268 |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento IXST15N120BD1
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable