Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de IXSH45N100 IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXSH45N100 IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
IGBT 1000V 75A 300W TO247
Número da peça:
IXSH45N100
Fabricante:
IXYS
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução

Especificações IXSH45N100

Estado da parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1000V
Atual - coletor (CI) (máximo) 75A
Atual - coletor pulsado (Icm) 180A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.7V @ 15V, 45A
Poder - máximo 300W
Energia de comutação 15mJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 165nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 80ns/400ns
Condição de teste 800V, 45A, 2,7 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-247-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXSH)
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento IXSH45N100

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXSH45N100 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXSH45N100 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXSH45N100 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXSH45N100 IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable