Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de IXSH30N60AU1 IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXSH30N60AU1 IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
IXSH30N60AU1
Fabricante:
IXYS
Descrição:
IGBT 600V 50A 200W TO247
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução

Especificações IXSH30N60AU1

Estado da parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 50A
Atual - coletor pulsado (Icm) 100A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 3V @ 15V, 30A
Poder - máximo 200W
Energia de comutação 2.5mJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 110nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 60ns/400ns
Condição de teste 480V, 30A, 4,7 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 50ns
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-247-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXSH)
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento IXSH30N60AU1

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXSH30N60AU1 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXSH30N60AU1 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXSH30N60AU1 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXSH30N60AU1 IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable