Transistor IGBTs do módulo de poder de IXBX50N360HV IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
IXBX50N360HV
Fabricante:
IXYS
Descrição:
IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
BIMOSFET™
Introdução
Especificações de IXBX50N360HV
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | - |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 3600V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 125A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 420A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.9V @ 15V, 50A |
| Poder - máximo | 660W |
| Energia de comutação | - |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 210nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 46ns/205ns |
| Condição de teste | 960V, 50A, 5 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 1.7µs |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote/caso | TO-247-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247-3 |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de IXBX50N360HV
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable