Transistor IGBTs do módulo de poder de FGA25N120ANTDTU_F109 IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Número da peça:
FGA25N120ANTDTU_F109
Fabricante:
Semicondutor de Fairchild/ON
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações FGA25N120ANTDTU_F109
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | NPT e trincheira |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 1200V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 50A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 90A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.65V @ 15V, 50A |
| Poder - máximo | 312W |
| Energia de comutação | 4.1mJ (sobre), 960µJ (fora) |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 200nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 50ns/190ns |
| Condição de teste | 600V, 25A, 10 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 350ns |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote/caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-3P |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento FGA25N120ANTDTU_F109
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable