Transistor IGBTs do módulo de poder de APT50GT60BRG IGBT único
Especificações
Número da peça:
APT50GT60BRG
Fabricante:
Microsemi Corporaçõ
Descrição:
IGBT 600V 110A 446W TO247
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
Raio IGBT®
Introdução
Especificações de APT50GT60BRG
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo de IGBT | NPT |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 600V |
Atual - coletor (CI) (máximo) | 110A |
Atual - coletor pulsado (Icm) | 150A |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.5V @ 15V, 50A |
Poder - máximo | 446W |
Energia de comutação | 995µJ (sobre), 1070µJ (fora) |
Tipo entrado | Padrão |
Carga da porta | 240nC |
TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 14ns/240ns |
Condição de teste | 400V, 50A, 4,3 ohms, 15V |
Tempo de recuperação reversa (trr) | - |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote/caso | TO-247-3 |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247 [B] |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de APT50GT60BRG
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable