Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTG5N120BND IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
HGTG5N120BND
Fabricante:
Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição:
IGBT 1200V 21A 167W TO247
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações de HGTG5N120BND
| Estado da parte | Não para projetos novos |
|---|---|
| Tipo de IGBT | NPT |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 1200V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 21A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 40A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.7V @ 15V, 5A |
| Poder - máximo | 167W |
| Energia de comutação | 450µJ (sobre), 390µJ (fora) |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 53nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 22ns/160ns |
| Condição de teste | 960V, 5A, 25 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 65ns |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote/caso | TO-247-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247 |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de HGTG5N120BND
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable