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Transistor IGBTs do módulo de poder de IKD06N60RAATMA1 IGBT único

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Transistor IGBTs do módulo de poder de IKD06N60RAATMA1 IGBT único

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Imagem Grande :  Transistor IGBTs do módulo de poder de IKD06N60RAATMA1 IGBT único

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Transistor IGBTs do módulo de poder de IKD06N60RAATMA1 IGBT único

descrição
Número da peça: IKD06N60RAATMA1 Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: IGBT 600V 12A 100W TO252 Categoria: Transistor - IGBTs - únicos
Família: Transistor - IGBTs - únicos Série: TrenchStop™

Especificações IKD06N60RAATMA1

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT Parada de campo da trincheira
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 12A
Atual - coletor pulsado (Icm) 18A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.1V @ 15V, 6A
Poder - máximo 100W
Energia de comutação 110µJ (sobre), 220µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 48nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 12ns/127ns
Condição de teste 400V, 6A, 23 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 68ns
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Pacote do dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento IKD06N60RAATMA1

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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