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RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

Name: RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
Brand: RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
SKU: RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (164 reviews)

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RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

descrição

Número da peça:	RQ3E130BNTB	Fabricante:	Semicondutor de Rohm
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

RQ3E130BNTB Specifications

Part Status	Active
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 13A, 10V
Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Package / Case	8-PowerVDFN
Shipment	UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion	New original factory.

RQ3E130BNTB Packaging

Detection

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single 0

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Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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RQ3E130BNTB Specifications

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