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TPHR9203PL, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de L1Q únicos

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TPHR9203PL, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de L1Q únicos

TPHR9203PL, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de L1Q únicos
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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

TPHR9203PL, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de L1Q únicos

descrição
Número da peça: TPHR9203PL,L1Q Fabricante: Semicondutor e armazenamento de Toshiba
Descrição: TRANSISTOR DO MOSFET DO PODER DE X35 PB-F Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: U-MOSIX-H

TPHR9203PL, especificações de L1Q

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 150A
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2.1V @ 500µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 80nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 7540pF @ 15V
Vgs (máximo) ±20V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 132W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs -
Temperatura de funcionamento 175°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor Avanço 8-SOP
Pacote/caso 8-PowerVDFN
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

TPHR9203PL, empacotamento de L1Q

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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