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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STB8NM60D únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STB8NM60D únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STB8NM60D únicos
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Imagem Grande :  MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STB8NM60D únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STB8NM60D únicos

descrição
Número da peça: STB8NM60D Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: MDmesh™

Especificações de STB8NM60D

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 8A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 380pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 100W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 1 ohm @ 2.5A, 10V
Temperatura de funcionamento -65°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor D2PAK
Pacote/caso TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STB8NM60D

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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