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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFU320PBF únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
Número da peça:
IRFU320PBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Introdução

Especificações de IRFU320PBF

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 400V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 3.1A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 350pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 1,8 ohms @ 1.9A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-251AA
Pacote/caso TO-251-3 ligações curtos, IPak, TO-251AA
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IRFU320PBF

Detecção

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