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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STL9P2UH7 únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STL9P2UH7 únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STL9P2UH7 únicos

Imagem Grande :  MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STL9P2UH7 únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STL9P2UH7 únicos

descrição
Número da peça: STL9P2UH7 Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: STripFET™

Especificações STL9P2UH7

Estado da parte Ativo
Tipo do FET P-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 9A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 2390pF @ 16V
Vgs (máximo) ±8V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 2.9W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 22,5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor PowerFlat™ (3.3x3.3)
Pacote/caso 8-PowerVDFN
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento STL9P2UH7

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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