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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STP180N55F3 únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
Número da peça:
STP180N55F3
Fabricante:
STMicroelectronics
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
STripFET™
Introdução

Especificações STP180N55F3

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 55V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 120A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 100nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 6800pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 330W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 3,8 mOhm @ 60A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220AB
Pacote/caso TO-220-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento STP180N55F3

Detecção

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