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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STFI13NK60Z únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STFI13NK60Z únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STFI13NK60Z únicos
MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STFI13NK60Z únicos

Imagem Grande :  MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STFI13NK60Z únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STFI13NK60Z únicos

descrição
Número da peça: STFI13NK60Z Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK FP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: SuperMESH™

Especificações de STFI13NK60Z

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 13A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 100µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 92nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 2030pF @ 25V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 35W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 550 mOhm @ 4.5A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor I2PAKFP (TO-281)
Pacote/caso Bloco TO-262-3 completo, mim ² Pak
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STFI13NK60Z

Detecção

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Contacto
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Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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