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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFB3207ZGPBF únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFB3207ZGPBF únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFB3207ZGPBF únicos
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Imagem Grande :  MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFB3207ZGPBF únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFB3207ZGPBF únicos

descrição
Número da peça: IRFB3207ZGPBF Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: HEXFET®

Especificações de IRFB3207ZGPBF

Estado da parte Não para projetos novos
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 75V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 120A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 150µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 170nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 6920pF @ 50V
Vgs (máximo) ±20V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 300W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 4,1 mOhm @ 75A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220AB
Pacote/caso TO-220-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IRFB3207ZGPBF

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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