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Detalhes do produto:
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| Número da peça: | TK17E65W, S1X | Fabricante: | Semicondutor e armazenamento de Toshiba |
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| Descrição: | MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB | Categoria: | Transistor - FETs, MOSFETs - únicos |
| Família: | Transistor - FETs, MOSFETs - únicos | Série: | DTMOSIV |
| Estado da parte | Ativo |
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| Tipo do FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene à tensão da fonte (Vdss) | 650V |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 17.3A (Ta) |
| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 3.5V @ 900µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1800pF @ 300V |
| Vgs (máximo) | ±30V |
| Característica do FET | - |
| Dissipação de poder (máxima) | 165W (Tc) |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 200 mOhm @ 8.7A, 10V |
| Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-220 |
| Pacote/caso | TO-220-3 |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Pessoa de Contato: Darek
Telefone: +8615017926135
