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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SIHP24N65E-E3 únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
SIHP24N65E-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Introdução

Especificações SIHP24N65E-E3

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 650V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 24A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 122nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 2740pF @ 100V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 250W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 145 mOhm @ 12A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220AB
Pacote/caso TO-220-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SIHP24N65E-E3

Detecção

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