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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFBC40SPBF únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFBC40SPBF únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFBC40SPBF únicos
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Imagem Grande :  MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFBC40SPBF únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFBC40SPBF únicos

descrição
Número da peça: IRFBC40SPBF Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Especificações de IRFBC40SPBF

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 6.2A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1300pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 3.1W (Ta), 130W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 1,2 ohms @ 3.7A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor D2PAK
Pacote/caso TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IRFBC40SPBF

Detecção

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Contacto
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Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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