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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SN7002NH6327XTSA2 únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SN7002NH6327XTSA2 únicos

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
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Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SN7002NH6327XTSA2 únicos

descrição
Número da peça: SN7002NH6327XTSA2 Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: Automotivo, AEC-Q101, SIPMOS®

Especificações SN7002NH6327XTSA2

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 200mA (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.8V @ 26µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 45pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 360mW (Ta)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 5 ohms @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor PG-SOT23-3
Pacote/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SN7002NH6327XTSA2

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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