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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SCT3120ALGC11 únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
SCT3120ALGC11
Fabricante:
Rohm semicondutor
Descrição:
MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Introdução

Especificações SCT3120ALGC11

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia SiCFET (carboneto de silicone)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 650V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 21A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5.6V @ 3.33mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 38nC @ 18V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 460pF @ 500V
Vgs (máximo) +22V, -4V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 103W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 156 mOhm @ 6.7A, 18V
Temperatura de funcionamento 175°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247N
Pacote/caso TO-247-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SCT3120ALGC11

Detecção

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