MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMN2069FTA únicos
Especificações
Número da peça:
ZXMN2069FTA
Fabricante:
Diodos incorporados
Descrição:
MOSFET N-CH SOT23-3
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Introdução
Especificações de ZXMN2069FTA
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo do FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene à tensão da fonte (Vdss) | - |
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | - |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | - |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | - |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | - |
Vgs (máximo) | ±20V |
Característica do FET | - |
Dissipação de poder (máxima) | - |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | - |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de ZXMN2069FTA
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable