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BLF8G27LS-140V, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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BLF8G27LS-140V, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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BLF8G27LS-140V, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

BLF8G27LS-140V, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

descrição
Número da peça: BLF8G27LS-140V, 112 Fabricante: Ampleon EUA Inc.
Descrição: FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B do RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

BLF8G27LS-140V, 112 especificações

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 2.63GHz ~ 2.69GHz
Ganho 17.4dB
Tensão - teste 32V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 1.3A
Saídas de potência 45W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso SOT-1120B
Pacote do dispositivo do fornecedor CDFM6
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

BLF8G27LS-140V, 112 que empacotam

Detecção

BLF8G27LS-140V, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 0BLF8G27LS-140V, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 1BLF8G27LS-140V, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2BLF8G27LS-140V, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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