FDMA2002NZ Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice
Kategoria:
Tranzystor polowy
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Numer części:
FDMA2002NZ
Producent:
Fairchild/ON Semiconductor
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
Kategoria:
Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze
Rodzina:
Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze
Seria:
PowerTrench®
Wprowadzenie
Specyfikacje FDMA2002NZ
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | 2 kanały N (podwójne) |
| Funkcja FET | Bramka poziomu logicznego |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 30V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123 mOhm przy 2,9 A, 4,5 V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 1,5 V przy 250 µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 3 nC przy 4,5 V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 220 pF przy 15 V |
| Moc — maks | 650 mW |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Opakowanie / etui | 6-WDFN Odsłonięta podkładka |
| Pakiet urządzeń dostawcy | 6-mikroFET (2x2) |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
FDMA2002NZ Opakowanie
Wykrycie
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable