Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Moduł mocy IGBT > RJP6085DPN-00#T2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

RJP6085DPN-00#T2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

Kategoria:
Moduł mocy IGBT
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Numer części:
RJP6085DPN-00#T2
Producent:
Renesas Electronics America
Opis:
IGBT 600 V 40 A 178,5 W TO-220AB
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Wprowadzenie

Specyfikacje RJP6085DPN-00#T2

Stan części Aktywny
Typ IGBT -
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) 600 V
Prąd - kolektor (Ic) (maks.) 40A
Prąd - Impuls kolektora (Icm) -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3,5 V przy 15 V, 40 A
Moc — maks 178,5 W
Przełączanie energii -
Typ wejścia Standard
Opłata za bramkę -
Td (wł./wył.) @ 25°C -
Warunek testowy -
Czas przywracania wstecznego (trr) -
temperatura robocza 150°C (TJ)
Typ mocowania Przez otwór
Opakowanie / etui TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy TO-220AB
Wysyłka UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Stan Nowa oryginalna fabryka.

RJP6085DPN-00#T2 Opakowanie

Wykrycie

RJP6085DPN-00#T2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczyRJP6085DPN-00#T2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczyRJP6085DPN-00#T2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczyRJP6085DPN-00#T2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable