|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | GT10J312(Q) | Producent: | Półprzewodniki i pamięci masowe firmy Toshiba |
|---|---|---|---|
| Opis: | IGBT 600V 10A 60W TO220SM | Kategoria: | Tranzystory - IGBT - Pojedyncze |
| Rodzina: | Tranzystory - IGBT - Pojedyncze |
| Stan części | Przestarzały |
|---|---|
| Typ IGBT | - |
| Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) | 600 V |
| Prąd - kolektor (Ic) (maks.) | 10 A |
| Prąd - Impuls kolektora (Icm) | 20A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2,7 V przy 15 V, 10 A |
| Moc — maks | 60 W |
| Przełączanie energii | - |
| Typ wejścia | Standard |
| Opłata za bramkę | - |
| Td (wł./wył.) @ 25°C | 400ns/400ns |
| Warunek testowy | 300 V, 10 A, 100 omów, 15 V |
| Czas przywracania wstecznego (trr) | 200ns |
| temperatura robocza | 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Opakowanie / etui | TO-252-3, DPak (2 odprowadzenia + zakładka), SC-63 |
| Pakiet urządzeń dostawcy | TO-220SM |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
