TK35A65W5, S5X Tranzystor polowy Tranzystory FET MOSFET Pojedyncze
Specyfikacje
Numer części:
TK35A65W5,S5X
Producent:
Półprzewodniki i pamięci masowe firmy Toshiba
Opis:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Kategoria:
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Seria:
DTMOSIV
Wprowadzenie
Specyfikacje TK35A65W5,S5X
Stan części | Aktywny |
---|---|
Typ FET | Kanał N |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 650 V |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 35A (Ta) |
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | 10V |
Vgs(th) (Maks.) @ Id | 4,5 V przy 2,1 mA |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 115nC przy 10V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 4100 pF przy 300 V |
Vgs (maks.) | ±30 V |
Funkcja FET | - |
Rozpraszanie mocy (maks.) | 50 W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm przy 17,5 A, 10 V |
temperatura robocza | 150°C (TJ) |
Typ mocowania | Przez otwór |
Pakiet urządzeń dostawcy | TO-220SIS |
Opakowanie / etui | TO-220-3 Pełne opakowanie, izolowana zakładka |
Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
TK35A65W5,S5X Opakowanie
Wykrycie
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable