پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > 2N7002BKV,115 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه

2N7002BKV,115 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
2N7002BKV,115
سازنده:
Nexperia USA Inc.
شرح:
ماسفت 2N-CH 60V 0.34A SOT666
دسته بندی:
ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
خانواده:
ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سلسله:
خودرو، AEC-Q101، TrenchMOS™
مقدمه

2N7002BKV,115 مشخصات

وضعیت قطعه فعال
نوع FET 2 کانال N (دوگانه)
ویژگی FET دروازه سطح منطقی
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 60 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 340 میلی آمپر
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 1.6 اهم @ 500 میلی آمپر، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2.1 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 50pF @ 10V
قدرت - حداکثر 350 میلی وات
دمای عملیاتی 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته / مورد SOT-563, SOT-666
بسته دستگاه تامین کننده SOT-666
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

2N7002BKV,115 بسته بندی

تشخیص

2N7002BKV,115 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه2N7002BKV,115 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه2N7002BKV,115 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه2N7002BKV,115 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable