پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > SQJ488EP-T1_GE3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

SQJ488EP-T1_GE3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
SQJ488EP-T1_GE3
سازنده:
Vishay Siliconix
شرح:
ماسفت N-CH 100V POWERPAK SO8L
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سلسله:
خودرو، AEC-Q101، TrenchFET®
مقدمه

مشخصات SQJ488EP-T1_GE3

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 100 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 42A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 4.5 ولت، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2.5 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 27nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 979pF @ 25V
Vgs (حداکثر) ± 20 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 83 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 21 میلی اهم با 7.4 آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® SO-8
بسته / مورد PowerPAK® SO-8
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی SQJ488EP-T1_GE3

تشخیص

SQJ488EP-T1_GE3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSQJ488EP-T1_GE3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSQJ488EP-T1_GE3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSQJ488EP-T1_GE3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable