پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > SUM60N02-3M9P-E3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

SUM60N02-3M9P-E3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
SUM60N02-3M9P-E3
سازنده:
Vishay Siliconix
شرح:
ماسفت N-CH 20V 60A D2PAK
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سلسله:
TrenchFET®
مقدمه

مشخصات SUM60N02-3M9P-E3

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 20 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 60A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 4.5 ولت، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 3 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 50nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 5950pF @ 10V
Vgs (حداکثر) ± 20 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 3.75 وات (Ta)، 120 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 3.9 میلی اهم @ 20 آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده TO-263 (D2Pak)
بسته / مورد TO-263-3، D²Pak (2 سرنخ + برگه)، TO-263AB
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی SUM60N02-3M9P-E3

تشخیص

SUM60N02-3M9P-E3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSUM60N02-3M9P-E3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSUM60N02-3M9P-E3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSUM60N02-3M9P-E3 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable