پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > SCT2750NYTB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

SCT2750NYTB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
SCT2750NYTB
سازنده:
نیمه هادی Rohm
شرح:
1700 ولت .75 OHM 6A SIC FET
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
مقدمه

مشخصات SCT2750NYTB

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 1700 ولت (1.7 کیلو ولت)
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 5.9A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 18 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 4 ولت @ 630 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 17nC @ 18V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 275pF @ 800V
Vgs (حداکثر) +22 ولت، -6 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 57 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 975 میلی اهم @ 1.7 آمپر، 18 ولت
دمای عملیاتی 175 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده TO-268
بسته / مورد TO-268-3، D³Pak (2 Lead + Tab)، TO-268AA
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی SCT2750NYTB

تشخیص

SCT2750NYTB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSCT2750NYTB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSCT2750NYTB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSCT2750NYTB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable