پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > ترانزیستورهای اثر میدانی STF42N65M5 ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکی

ترانزیستورهای اثر میدانی STF42N65M5 ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکی

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
STF42N65M5
سازنده:
STMicroelectronics
شرح:
ماسفت N-CH 650V 33A TO-220FP
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سلسله:
MDmesh™ V
مقدمه

مشخصات STF42N65M5

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 650 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 33A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 5 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 100nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 4650pF @ 100V
Vgs (حداکثر) ± 25 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 40 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 79 میلی اهم با 16.5 آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب از طریق سوراخ
بسته دستگاه تامین کننده TO-220FP
بسته / مورد بسته کامل TO-220-3
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی STF42N65M5

تشخیص

ترانزیستورهای اثر میدانی STF42N65M5 ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکیترانزیستورهای اثر میدانی STF42N65M5 ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکیترانزیستورهای اثر میدانی STF42N65M5 ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکیترانزیستورهای اثر میدانی STF42N65M5 ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکی

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable