پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > BSP92PH6327XTSA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

BSP92PH6327XTSA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
قابل مذاکره
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
BSP92PH6327XTSA1
سازنده:
فن آوری های Infineon
شرح:
ماسفت P-CH 250V 260MA 4SOT223
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سلسله:
SIPMOS®
مقدمه

مشخصات BSP92PH6327XTSA1

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال پی
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 250 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 260 میلی آمپر (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 2.8 ولت، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2 ولت @ 130 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 5.4nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 104pF @ 25V
Vgs (حداکثر) ± 20 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 1.8 وات (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 12 اهم @ 260 میلی آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده PG-SOT223-4
بسته / مورد TO-261-4، TO-261AA
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی BSP92PH6327XTSA1

تشخیص

BSP92PH6327XTSA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکBSP92PH6327XTSA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکBSP92PH6327XTSA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکBSP92PH6327XTSA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable