پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > ترانزیستورهای اثر میدانی STF28NM60ND ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکی

ترانزیستورهای اثر میدانی STF28NM60ND ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکی

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
قابل مذاکره
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
STF28NM60ND
سازنده:
STMicroelectronics
شرح:
ماسفت N-CH 600V 23A TO220FP
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سلسله:
FDmesh™ II
مقدمه

مشخصات STF28NM60ND

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 600 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 23A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 5 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 62.5nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 2090pF @ 100V
Vgs (حداکثر) ± 25 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 35 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 150 میلی اهم @ 11.5 آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب از طریق سوراخ
بسته دستگاه تامین کننده TO-220FP
بسته / مورد بسته کامل TO-220-3
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی STF28NM60ND

تشخیص

ترانزیستورهای اثر میدانی STF28NM60ND ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکیترانزیستورهای اثر میدانی STF28NM60ND ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکیترانزیستورهای اثر میدانی STF28NM60ND ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکیترانزیستورهای اثر میدانی STF28NM60ND ترانزیستورهای FET ها ماسفت های تکی

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable