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NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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제품 상세 정보:
원래 장소: 원형
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 교섭할 수 있습니다
가격: Negotiable
배달 시간: 교섭할 수 있습니다
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 100000

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

설명
부품번호: NTJD1155LT1G 제조사: ON 반도체
기술: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 범주: 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 배열
가족: 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 배열

NTJD1155LT1G Specifications

Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Power - Max 400mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

NTJD1155LT1G Packaging

Detection

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연락처 세부 사항
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

담당자: Darek

전화 번호: +8615017926135

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