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제품 소개전계 효과 트랜지스터

NTMD6P02R2G 전계 효과 트랜지스터 트랜지스터 페트스 모스페트스 배열

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큰 이미지 :  NTMD6P02R2G 전계 효과 트랜지스터 트랜지스터 페트스 모스페트스 배열

제품 상세 정보:
원래 장소: 원형
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 교섭할 수 있습니다
가격: Negotiable
배달 시간: 교섭할 수 있습니다
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 100000

NTMD6P02R2G 전계 효과 트랜지스터 트랜지스터 페트스 모스페트스 배열

설명
부품번호: NTMD6P02R2G 제조사: ON 반도체
기술: MOSFET 2P-ch 20V 4.8A 8SOIC 범주: 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 배열
가족: 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 배열

NTMD6P02R2G 상술

상태 부분 활동가
FET은 타이핑합니다 (이원적인) 2 P-채널
FET 특징 논리 레벨 게이츠
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 20V
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id) 4.8A
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 6.2A, 4.5V에 있는 33 모흠
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 250uA에 있는 1.2V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 4.5V에 있는 35nC
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 16V에 있는 1700pF
전원 - 맥스 750mW
작동 온도 -55' C ~ 150' C (TJ)
증가하는 타입 표면 부착
패키지 / 건 8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
공급자 소자 패키지 8-soic
출하 UPS/EMS/DHL/FedEx 익스프레스.
상태 새로운 원래 공장.

NTMD6P02R2G 패키징

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연락처 세부 사항
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

담당자: Darek

전화 번호: +8615017926135

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