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SI7949DP-T1-E3 전계 효과 트랜지스터 트랜지스터 페트스 모스페트스 배열

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큰 이미지 :  SI7949DP-T1-E3 전계 효과 트랜지스터 트랜지스터 페트스 모스페트스 배열

제품 상세 정보:
원래 장소: 원형
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 교섭할 수 있습니다
가격: Negotiable
배달 시간: 교섭할 수 있습니다
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 100000

SI7949DP-T1-E3 전계 효과 트랜지스터 트랜지스터 페트스 모스페트스 배열

설명
부품번호: SI7949DP-T1-E3 제조사: 비샤이 실아이코닉스
기술: MOSFET 2P-ch 60V 3.2A PPAK SO-8 범주: 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 배열
가족: 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 배열 시리즈: TrenchFET®

SI7949DP-T1-E3 상술

상태 부분 활동가
FET은 타이핑합니다 (이원적인) 2 P-채널
FET 특징 논리 레벨 게이츠
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 60V
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id) 3.2A
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 5A, 10V에 있는 64 모흠
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 250uA에 있는 3V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10V에 있는 40nC
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) -
전원 - 맥스 1.5W
작동 온도 -55' C ~ 150' C (TJ)
증가하는 타입 표면 부착
패키지 / 건 PowerPAK® SO-8 듀얼
공급자 소자 패키지 PowerPAK® SO-8 듀얼
출하 UPS/EMS/DHL/FedEx 익스프레스.
상태 새로운 원래 공장.

SI7949DP-T1-E3 패키징

탐지

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연락처 세부 사항
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

담당자: Darek

전화 번호: +8615017926135

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