회로보호를 위한 IRFS3207Z 전력 FET Mosfet 칩 75V 170A
분류:
전계 효과 트랜지스터
가격:
협상 가능
결제 방법:
전신환, D/P (지급도 조건), 인수 인도, L/C (신용장), 웨스턴 유니온, 머니그램
사양
제품 모델:
IRFS3207ZTRRPBF
공급자 패키지:
TO-263-3
간결한 설명:
N-Channel75V 170A
상품 카테고리:
FET - 단일
적용 분야:
회로보호 칩
제조 일자:
1년 이내에
강조하다:
전력 FET
,전계 효과 트랜지스터 170A
,Mosfet은 75V를 자릅니다
소개
IRFS3207Z 파워 모스펫 전계 효과 트랜지스터 칩 회로보호 75V 170A
기술
- D2-Pak 패키지에서 서방 MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 한 개의 엔-채널 HEXFET 파워 모스펫
상술
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 인피네온 | |
| 상품 카테고리 : | MOSFET |
| 로에스 : | 세부 사항 |
| Si | |
| SMD / SMT | |
| TO-263-3 | |
| 엔-채널 | |
| 1개 채널 | |
| 75 Ｖ | |
| 170 A | |
| 4.1 모엠에스 | |
| - 20 Ｖ, + 20 Ｖ | |
| 4 Ｖ | |
| 170 nC | |
| - 55 Ｃ | |
| + 175 Ｃ | |
| 300 Ｗ | |
| 향상 | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 마우스릴 | |
| 브랜드 : | 인피니언 테크놀러지 |
| 구성 : | 단일 |
| 강하 시간 : | 68 나노 초 |
| 앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : | 280 Ｓ |
| 높이 : | 4.4 밀리미터 |
| 길이 : | 10 밀리미터 |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 상승 시간 : | 68 나노 초 |
| 800 | |
| 하위범주 : | MOSFET |
| 트랜지스터형 : | 1 엔-채널 |
| 폭 : | 9.25 밀리미터 |
| 부분 # 가칭 : | IRFS3207ZTRRPBF SP001565050 |
| 단일 가중치 : | 0.139332 온스 |
애플리케이션
- SMPS의 고효율 동기 정류
- 무정전 전원장치
- 고속도 전력스위칭
- 열심히 교환되고 초고주파 회로
혜택
- 개선된 게이트, 쇄도와 동적 드프 / dt 거침성
- 완전히 특징 전기 용량과 쇄도 소아
- 강화한 바디 다이오드 dV/dt와 dI/dt 역량
- 무연
- 로에스 순응한, 무할로겐
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