전원관리 ICs 집적 회로 IC 게이트 드라이버 칩 ic IR IR2110PBF
사양
제품 모델:
IR2110PBF
공급자 패키지:
PDIP-14
간결한 설명:
반도체
상품 카테고리:
집적 회로
적용 분야:
게이트 드라이버
제조 일자:
1년 이내에
소개
제품 범위
- 전원관리 ICs 집적 회로 IC 게이트 드라이버 칩 ic IR IR2110PBF
- 반도체
- 전원관리 ICs
- 게이트 드라이버
- 인피니언 테크놀러지 IR2110PBF
- 게이트 드라이버 Hi&Lw Sd 드라이브르 모든 히프라이트가 1 Sd를 고정합니다
App 특성
- 보동 채널은 과도 전압 dV/dt를 부정하도록 관대한 +500V 또는 +600V에 완전히 사용가능한 부트 스트랩 작동의 설계를 했습니다 면역
- 게이트 드라이브 공급은 10에서 20V의 범위입니다
- 양쪽 채널을 위한 하측 전압 로크 아웃
- 3.3V부터 20V 논리와 전력 지상 ±5V 벌충까지 3.3V 논리 적합한 분리된 논리 공급 범위
- 풀-다운과 CMOS 슈미트 방아쇠식 입력
- 사이클 에지동작 중단 논리에 의한 사이클
- 양쪽 채널을 위한 조화된 전달 지연
- 입력과 동조하여 출력
기초 자료
제품 속성 | 속성 값 |
---|---|
인피네온 | |
상품 카테고리 : | 게이트 드라이버 |
로에스 : | 세부 사항 |
IGBT, mosfet 게이트 드라이버 | |
고전위측, 로우-측 | |
관통 홀 | |
PDIP-14 | |
2개 드라이버 | |
2개 출력 | |
2.5 A | |
10 V | |
20 V | |
35 나노 초 | |
25 나노 초 | |
- 40 C | |
+ 125 C | |
튜브 | |
브랜드 : | 인피니언 테크놀러지 |
특징 : | 독립형 |
높이 : | 5.33 밀리미터 |
길이 : | 20.19 밀리미터 |
논리형 : | CMOS, TTL |
최대 정지 지연 시간 : | 94 나노 초 |
최대 턴 온 지연 시간 : | 120 나노 초 |
작동 공급전류 : | 340 uA |
Pd - 전력 소모 : | 1.6 W |
상품 종류 : | 게이트 드라이버 |
전달 지연 - 맥스 : | 150 나노 초 |
1500 | |
하위범주 : | PMIC - 전원관리 ICs |
기술 : | Si |
폭 : | 7.11 밀리미터 |
부분 # 가칭 : | IR2110PBF SP001536788 |
단일 가중치 : | 0.057144 온스 |
다운로드 데이터 시트
애플리케이션
- 비엘디씨 모터
- 3상 영구 자석 동기 전동기
- 인버터
- 반 브리지 드라이버
- 로봇 컨트롤 시스템즈
- 장치
- 격자 하부 구조
- 에포스 오우 집 테레이트
- 분배된 전원 시스템
- 통신 / 네트워킹 하부 구조
- 나뒤스트리얼 전원 공급기 오우 태양에너지
- 모터 드라이브
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